hkmetalgate

2022年11月8日—由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/MetalGate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新 ...,,Intelmadeasignificantbreakthroughinthe45nmprocessbyusingahigh-k(Hi-k)materialcalledhafniumtoreplacethetransistor'ssilicondioxidegate ...,書名：High-k/Metal-gateDevicesforFutureCMOSTechnology，語言：英文，ISBN：9783836465298，頁數：180，作...

參考資訊如下
SK海力士引领High

2022年11月8日 — 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新 ...

FD SOI的mVt基本功之一HKMG與鋁的故事IBM vs ...

High

Intel made a significant breakthrough in the 45nm process by using a high-k (Hi-k) material called hafnium to replace the transistor's silicon dioxide gate ...

High-kMetal

書名：High-k/Metal-gate Devices for Future CMOS Technology，語言：英文，ISBN：9783836465298，頁數：180，作者：Abermann, Stephan，出版日期：2008/11/06， ...

High kmetal gate 金氧半場效電晶體熱載子可靠度研究The ...

2018年8月8日 — 而本專題討論high k/metal gate 金氧半場效電晶體熱載子可靠度的研究，. 分析在不同Ti 濃度及不同厚度下，hot carrier stress 後，其Id、S.S、GIDL、. VT ...

Why PolySi to HKMG

2023年6月11日 — Polysilicon本身有電容，造成閘極氧化層電容Cox變小(電容串聯越串越小)。 閘極氧化層SiO2 dry oxide換成High-K，Poly gate換成metal gate ...

28奈米製程

... 極（High-k Metal Gate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極技術具備較低的漏電流以及能提供更佳的晶片效能等優勢。

高介電係數閘極介層技術

在AMD有關於. Gate Structure與Process Integration的專利. 中，值得一提的是鑲嵌式金屬閘極. (Damascene Metal Gate)及氮化矽犧牲閘. 極(Nitride Dummy Gate)的觀念。

高介電常數金屬閘極（High

2019年8月5日 — 高介電常數金屬閘極（High-k Metal Gate, HKMG）和鰭式場效電晶體（FinFET）的結構與成份分析 ... 這類金屬閘極和高介電常數的絕緣氧化物都是多元素交錯沉積 ...